Значение слова фотодиод

полупроводниковый диод, обладающий односторонней фотопроводимостью, возникающей при воздействии на него оптического излучения. Используется в устройствах автоматики, вычислительной, измерительной техники и др. в качестве генератора фотоэдс или для управления током в электрических цепях.

полупроводниковый диод , обладающий свойством односторонней фотопроводимости при воздействии на него оптического излучения. Ф. представляет собой полупроводниковый кристалл обычно с электронно-дырочным переходом (р√n-переходом), снабженный 2 металлическими выводами (один от р-, другой от n-области) и вмонтированный в металлический или пластмассовый защитный корпус. Материалами, из которых выполняют Ф., служат Ge, Si, GaAs, HgCdTe и др. Различают 2 режима работы Ф.: фотодиодный, когда во внешней цепи Ф. содержится источник постоянного тока, создающий на р√n-переходе обратное смещение, и вентильный, когда такой источник отсутствует. В фотодиодном режиме Ф., как и фоторезистор , используют для управления электрическим током в цепи Ф. в соответствии с изменением интенсивности падающего излучения. Возникающие под действием излучения неосновные носители диффундируют через р√n-переход и ослабляют электрическое поле последнего. Фототок в Ф. в широких пределах линейно зависит от интенсивности падающего излучения и практически не зависит от напряжения смещения. В вентильном режиме Ф., как и полупроводниковый фотоэлемент , используют в качестве генератора фотоэдс . Основные параметры Ф.:

1. порог чувствительности (величина минимального сигнала, регистрируемого Ф., отнесённая к единице полосы рабочих частот), достигает 10-14вт/гц1/2;

2. уровень шумов √ не свыше 10-9а;

3. область спектральной чувствительности лежит в пределах 0,3√15 мкм;

4. спектральная чувствительность (отношение фототока к потоку падающего монохроматического излучения с известной длиной волны) составляет 0,5√1 а/вт;

5. инерционность (время установления фототока) порядка 10-7√10-8сек. В лавинном Ф., представляющем собой разновидность Ф. с р√n-cтруктурой, для увеличения чувствительности используют т. н. лавинное умножение тока в р√n-переходе, основанное на ударной ионизации атомов в области перехода фотоэлектронами. При этом коэффициент лавинного умножения составляет 102√104. Существуют также Ф. с р√i√n-cтруктурой, близкие по своим характеристикам к Ф. с р√n-cтруктурой; по сравнению с последними они обладают значительно меньшей инерционностью (до 10-10 сек).

   Ф. находят применение в устройствах автоматики, лазерной техники, вычислительной техники, измерительной техники и т.п.

   Лит.: Тришенков М. А., Фример А. И., Фотоэлектрические полупроводниковые приборы с р√n-переходами, в сборнике: Полупроводниковые приборы и их применение, М., 1971; Рябов С. Г., Торопкин Г. Н., Усольцев И. Ф., Приборы квантовой электроники, М., 1976.

   И. Ф. Усольцев.

Фотодио́д — приёмник оптического излучения , который преобразует попавший на его фоточувствительную область свет в электрический заряд за счёт процессов в p-n-переходе .

Фото диод , работа которого основана на фотовольтаическом эффекте (разделение электронов и дырок в p- и n-области, за счёт чего образуется заряд и ЭДС ), называется солнечным элементом . Кроме p-n фотодиодов, существуют и p-i-n фотодиоды, в которых между слоями находится слой нелегированного полупроводникаi. p-n- и p-i-n-фотодиоды только преобразуют свет в электрический ток, но не усиливают его, в отличие от лавинных фотодиодов и фототранзисторов .