Большая Советская Энциклопедия
полупроводниковый диод для управления уровнем мощности в линиях передачи электрических колебаний СВЧ. Применяется в различных переключателях, электрически управляемых аттенюаторах, модуляторах, фазовращателях и т.д. Известны П. п. д. с р-n-переходом, контактом металл ≈ полупроводник (барьер Шотки), р-i-n-структурой (наиболее распространены), а также со структурой металл ≈ диэлектрик ≈полупроводник. Их действие основано на зависимости полного электрического сопротивления от подводимого напряжения. Например, при прохождении через кремниевый П. п. д. с р-i-n-структурой прямого тока смещения ~ 0,1 а он схемно эквивалентен активному сопротивлению £ 1 ом, а при обратном смещении и при нулевом смещении ≈ ёмкости 0,1 ≈ 1 пф и активному сопротивлению ~ 1 ом, соединённым последовательно. В отличие от электромеханических устройств и устройств с ионными приборами, устройства с П. п. д. обладают миниатюрными размерами и малой массой, повышенными надёжностью и быстродействием (скорость срабатывания от нескольких нсек до нескольких мксек). Перспективны в интегральных схемах .
Л. С. Либерман.