Википедия
" Оже-рекомбинация" — механизм рекомбинации в полупроводниках , при котором лишняя энергия передаётся другому электронному возбуждению.
При рекомбинации электрона проводимости и дырки , электрон переходит из зоны проводимости в валентную зону . При этом он теряет энергию, которая приблизительно равняется ширине запрещённой зоны . Эта энергия должна передаться какой-нибудь другой частице или квазичастице : фотону , фонону или другому электрону. Последний из перечисленных процессов называется оже-рекомбинацией по аналогии с эффектом Оже . Электрон, который получает выделенную энергию, переходит на высоковозбуждённый уровень в зоне проводимости. Это высоковозбуждённое состояние потом термализуется , постепенно отдавая энергию колебаниям кристаллической решётки .
Оже-рекомбинация существенна при высокой плотности носителей заряда в полупроводнике, поскольку требует столкновения трёх квазичастиц. Одновременная высокая концентрация электронов проводимости и дырок возможна при интенсивном возбуждении полупроводника светом.
В 2007 году было установлено, что Оже-рекомбинация является причиной снижения эффективности светоизлучающих диодов при больших токах.