Энциклопедический словарь, 1998 г.
возникновение электрического поля Е в освещенном полупроводнике, помещенном в магнитном поле Н. Направление поля Е перпендикулярно как Н, так и потоку носителей заряда, диффундирующих от освещенной поверхности полупроводника (где они возникают под действием света) к неосвещенной. Открыт И. К. Кикоиным и М. М. Носковым в 1933.
Большая Советская Энциклопедия
Кикоина ≈ Носкова эффект, фотомагнитноэлектрический эффект, возникновение электрического поля в освещенном полупроводнике , помещенном в магнитное поле. Электрическое поле перпендикулярно магнитному полю и потоку носителей тока ( электронов проводимости , дырок ), диффундирующих в полупроводнике в направлении от освещенной стороны полупроводника, где поглощённые фотоны образуют электронно-дырочные пары, к неосвещенной. К. ≈ Н. э. наблюдается при резко неоднородной концентрации неосновных носителей тока, что достигается при сильном поглощении света. Открыт в 1933 И. К. Кикоиным и М. М. Носковым. Применяется при исследовании полупроводников.