Энциклопедический словарь, 1998 г.
полупроводниковый лазер, в котором инверсия населенностей создается в результате инжекции электронов и дырок в область p-n-перехода или гетероперехода под действием электрического поля. Имеет высокий кпд и широкий диапазон рабочих частот, но невысокую когерентность излучения.
Большая Советская Энциклопедия
полупроводниковый лазер , в котором используется инжекция (впрыскивание) электронов и дырок в область электронно-дырочного перехода . Отличается малыми размерами (объём ~ 1 мм3). И. л. созданы на большом числе полупроводниковых материалов и излучают в широком диапазоне длин волн ≈ от видимого света до инфракрасного излучения.