Википедия
Гомоэпитаксия
Гомоэпитаксия — процесс ориентированного нарастания вещества , не отличающегося по химическому составу от вещества подложки. Пример: получение кремниевых и германиевых n-n и p-p в технологии полупроводниковых материалов и интегральных схем. Особенностью гомоэпитаксии является то, что кристаллические решетки подложки и растущего слоя практически не различаются между собой . Это дает возможность получать эпитаксиальные слои с очень низкой плотностью дислокаций и других структурных дефектов.