Википедия
Бандга́п (, запрещённая зона ) — стабильный транзисторный источник опорного напряжения , величина которого определяется шириной запрещённой зоны используемого полупроводника . Для легированного монокристаллического кремния , имеющего при Т=0 К ширину запрещённой зоны E=1,143 эВ , напряжение V на выходе бандгапа обычно составляет от 1,18 до 1,25 В или кратно этой величине, а его предельное отклонение от нормы во всём диапазоне рабочих температур и токов составляет не более 3 %. Бандгапы изготовляются в виде двухвыводных «прецизионных диодов» и аналоговых микросхем , но основная область их применения — внутренние источники опорных напряжений, встроенные в микросхемы памяти , стабилизаторов напряжения , мониторов цепей питания цифровой техники, аналого-цифровых и цифро-аналоговых преобразователей.
Основные топологии бандгапов были разработаны и внедрены в 1970-е годы. В современной промышленности в простых устройствах применяются бандгапы Видлара, в более требовательных — бандгапы Брокау. Наилучшую точность и стабильность обеспечивают разработанные в 1990-х годах «супербандгапы» со схемами коррекции нелинейности и начального отклонения напряжения. Они уступают в точности ИОН на стабилитронах со скрытой структурой , но при этом дешевле в производстве и способны работать при ме́ньших напряжениях и токах питания. Существуют построенные по принципу бандгапа схемы, генерирующие опорное напряжение в 200 мВ при напряжении питания не более 1 В и схемы, потребляющие ток не более 1 мкА.