Процесс полупроводниковой технологии, осаждение из газа монокристаллического слоя на подложке из такого же или иного кристалла

Ориентированный рост одного монокристалла на поверхности другого

Ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого

Энциклопедический словарь, 1998 г. Значение слова в словаре Энциклопедический словарь, 1998 г.
ЭПИТАКСИЯ (от эпи... и греч. taxis - расположение) ориентированный рост одного монокристалла на поверхности другого (подложки). Вещества могут быть одинаковы (гомоэпитаксия, или автоэпитаксия) или различны (гетероэпитаксия). Эпитаксия определяется условием ...

Википедия Значение слова в словаре Википедия
Эпитаксия — это закономерное нарастание одного кристаллического материала на другом (от — на и — упорядоченность ), т. е. ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого ( подложки ). Строго говоря, рост всех кристаллов можно назвать эпитаксиальным: ...

Большая Советская Энциклопедия Значение слова в словаре Большая Советская Энциклопедия
(от эпи... и греч. táxis ≈ расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны, и гомоэпитаксию (автоэпитаксию), когда они ...