травление в словаре кроссвордиста
травление
Толковый словарь русского языка. Д.Н. Ушаков
травления, мн. нет, ср. (мор., авиац.). Действие по глаг. травить 2.
травления, мн. нет, ср. (спец.). Действие по глаг. травить 1 в 6 и 7 знач.
Новый толково-словообразовательный словарь русского языка, Т. Ф. Ефремова.
Энциклопедический словарь, 1998 г.
химическое или электрохимическое растворение поверхности твердых материалов с практической целью. Различают травление технологическое (удаление окалины, изготовление интегральных схем и печатных плат, углубление пробельных участков типографских клише, повышение гидрофильности пробельных элементов форм плоской печати и т.д.) и структурное (выявление особенностей макро- и микроструктуры кристаллических материалов, диагностика рудных минералов, выявление дефектов рудных минералов, дефектов в кристаллах и т.д.).
Большая Советская Энциклопедия
в технике, растворение поверхности твёрдых тел с практической целью (в отличие от коррозии ). Различают Т. технологическое ≈ для обработки и изменения формы поверхности металлов, полупроводников, стекла, древесины и др. материалов, и структурное ≈ для выявления структуры кристаллических материалов (см. Металлография , Минералогия ).
Технологическое Т. (чаще всего химическое) применяется, например, для очистки от окалины или для получения требуемого вида поверхности металлических полуфабрикатов, при лужении, пайке. Т. типографских клише заключается в обработке кислотой участков металлических (преимущественно цинковой) пластины, не защищенных кислотоупорным слоем; при Т. эти участки оказываются углублёнными. Подобное Т. для создания необходимого профиля поверхности широко распространено в современной технологии полупроводниковых приборов , для изготовления интегральных схем (см. также Микроэлектроника ) и печатных плат в электронике (см. Печатные схемы ). Для получения нужного рисунка схемы на полупроводниковые кристаллы или покрытые металлической фольгой (медной, алюминиевой, олово-никелевой и др.) печатные платы наносится химически стойкий слой диэлектрика, а свободные от него участки подвергаются Т., например для удаления металлического слоя. Т. полупроводниковых материалов ≈ важная операция при изготовлении полупроводниковых приборов и в эпитаксиальной технологии (см. Эпитаксия ) ≈ для очистки поверхности от загрязнений и окислов; для удаления нарушенного слоя после механической обработки и контролируемого удаления материала с целью получения пластин заданной толщины с совершенной поверхностью; для контролируемого изменения поверхностных свойств; для создания нужного рельефа на поверхности пластин (например, для вытравливания лунок при изготовлении различного типа сплавных и поверхностно-барьерных транзисторов ); для ограничения площади р≈n-переходов в готовых диодных и триодных структурах. Стекло подвергают Т. для образования на нём рисунка или матовой поверхности, дерево ≈ для придания не свойственного ему вида. Электрохимическое Т. успешно применяется для металлов и сплавов, химическое Т. которых затруднено (тантал, молибден, вольфрам, жаропрочные сплавы), а также для полупроводников. Преимущества электрохимического Т. по сравнению с химическим ≈ чистота поверхности (на ней не остаётся никакого осадка) и чрезвычайная гибкость в управлении процессом.
Структурное Т. ≈ протравливание полированных шлифов кристаллических материалов, поверхности слитков и полуфабрикатов, граней или сколов кристаллов различными химическими реактивами; при этом выявляются особенности химического и фазового состава и кристаллического строения, которые можно наблюдать невооруженным глазом ( макроструктура ) или с помощью микроскопа ( микроструктура ). Структурное Т. используется для научных исследований, в прикладной минералогии (в том числе для диагностики рудных минералов) и в промышленности ≈ для контроля структуры при производстве металлов, сплавов, полупроводников и диэлектриков. По симметрии фигур Т. на гранях определяют ориентацию кристаллов. Метод фигур Т. успешно применяется главным образом в технологии полупроводников, для выявления дефектов в кристаллах ; малоугловых и двойниковых границ, дислокаций и дефектов упаковки.
Лит.: Жадан В. Т., Гринберг Б. Г., Никонов В. Я., Технология металлов и других конструкционных материалов, 2 изд., М., 1970; Травление полупроводников, пер. с англ., М., 1965; Справочник по печатным схемам, пер. с англ., М., 1972; Коваленко В. С., Металлографические реактивы. Справочник, 2 изд., М., 1973; Курносов А. И., Юдин В. В., Технология производства полупроводниковых приборов, М., 1974; Пшеничнов Ю. П., Выявление тонкой структуры кристаллов. Справочник, М., 1974.
Г. В. Инденбаум.
Википедия
Травление — группа технологических приёмов для управляемого удаления поверхностного слоя материала с заготовки под действием специально подбираемых химических реактивов. Ряд способов травления предусматривает активацию травящих реагентов посредством других физических явлений, например, наложением внешнего электрического поля при электрохимическом травлении, ионизацией атомов и молекул реагентов при ионно-плазменном травлении и т. п.
В литературе термин «травление», как правило, сопровождается определением, поясняющим конкретную технологию травления . При использовании термина «травление» без дополнительного определения, как правило, подразумевается химическое травление в водном электролите.
Если часть поверхности, подвергаемой травлению, требуется сохранить, то она защищается путём наложения специальной маски.
Основные виды травления:
- химическое ,
- электрохимическое,
- ионно-плазменное .
Травление в литографии — этап фотолитографического процесса, заключающийся в удалении негативного фоторезиста с необлученных участков или позитивного фоторезиста с облученных участков подложки , покрытой тонкой пленкой фоторезиста.
Жидкостное травление обладает высокой селективностью, но является изотропным и происходит не только в направлении, перпендикулярном поверхности подложки, но и горизонтально, под слой резиста. Вследствие этого детали вытравленного рисунка по размеру оказываются больше, чем соответствующие детали маски . Наиболее часто используется реактивное ионное травление , при котором подложка, покрытая маской, подвергается воздействию плазмы, возбужденной высокочастотным электрическим полем. Радикалы и нейтральные частицы плазмы участвуют в химических реакциях на поверхности, образуя летучие продукты, а положительные ионы плазмы бомбардируют поверхность и выбивают атомы с незащищенных участков подложки. Для каждого материала, подвергаемого сухому травлению, подбирается соответствующий реактивный газ. Так, например, органические резисты травят в кислородсодержащей плазме (CF + O), алюминий — в хлорсодержащей плазме (CCl, BCl, BCl +Cl, BCl + CCl +O), кремний и его соединения травят хлор- и фторсодержащей плазмой (CCl + Cl + Ar, ClF + Cl, CHF, CF + H, CF). Недостаток сухого травления — меньшая, по сравнению с жидкостным травлением, селективность. Вариантом сухого анизотропного травления является ионно-лучевое травление. В отличие от реактивного ионного травления, сочетающего физический и химический механизмы, ионно-лучевое травление определяется только физическим процессом передачи импульса. Ионно-лучевое травление является универсальным, пригодно для любого материала или сочетания материалов и обладает наивысшей среди всех методов травления разрешающей способностью, позволяя получать элементы с размером менее 10 нм.
Примеры употребления слова травление в литературе.
Признаками такого рода маскирующих действий являются исправления, дописки, допечатки текста, следы травления и подчистки, признаки технической подделки подписи в документах, различные негативные обстоятельства на месте происшествия.
Три первых состояния, где, наряду с травлением кислотой, большую роль играет сухая игла, то есть процарапывание по металлу без последующего травления кислотой, были выполнены в 1653-ем году.
Эта техника, при которой отсутствует процесс травления кислотой, придает более живой и выразительный характер штриховым линиям, которые, однако, могут быть легко искажены случайными ошибками в работе.
Вот последняя в моем журнале просится, аж пищит: образовывать диоды не искусными сложными травлениями пластинки, а в готовой микроматрице пробивать электрическим импульсом один из встречных барьеров в столбике полупроводника.
Далее обращается внимание на признаки материальной подделки - подчистки, травления, дописки, замены листов в многостраничных документах и др.
Они владели искусством соединения мягкого железа с твердой сталью, знали толк в закалке и отпуске стали, мастерски украшали мечи, щиты и шлемы методами травления, чеканки и насечки.
Такой способ имеет, однако, один существенный недостаток: поверхность окрашиваемого дерева от спирта или воды становится шероховатой, вследствие чего после травления ее приходится сглаживать стеклянной шкуркой, а такой шлифовкой стирается местами нанесенная краска и появляется необходимость во втором покрытии, что влечет за собой новую шлифовку и т.
Травление производится следующим образом: предметы кладут в таз и наливают столько воды, чтобы они были полностью покрыты ею.
Подбор оптимального в конкретном случае освещения позволяет обнаружить следы травления и подчистки в документах, зафиксировать слабовидимые потожировые следы рук на полированных поверхностях.
Основной принцип офорта, отличающий его от резцовой гравюры и сухой иглы, заключается в том, что прорезывание линий металлическими инструментами сопровождается и усиливается травлением кислотой.
Выявление признаков химического травления возможно с применением оптических увеличительных приборов, светофильтров, косопадающего освещения.
Когда травление считают оконченным, предмет прополаскивают в чистой воде, а предохранительное покрытие удаляют нагреванием или смывают его скипидаром.
Для того чтобы получить отчетливое травление буквы, штемпеля должны быть возможно более ясными и тонкими.
Печатная форма высокой печати изготавливается путем ручного или машинного типографского набора, травления цинкового клише.
Как ни проста, на первый взгляд, операция травления, начинающие часто терпят неудачу, особенно при травлении тонких и сложных рисунков.
Источник: библиотека Максима Мошкова